安世被誰收購
目前最先進的晶片是4nm製程，雖然三星、臺積電都官宣今年量產3nm晶片，但3nm晶片仍沒有出現。
但是，將晶片製程縮小到3nm已經很難了，三星採用了更先進的GAA工藝，雖然臺積電仍是採用傳統工藝，結果成本、效能提升並沒有想象中那麼美好。
另外，2nm晶片預計在3年後出現，也是2025年，這意味著晶片製程縮小越來越難了。
根據ASML釋出的訊息可知，其正在研發全新一代High NA EUV光刻機，孔徑值為0。55，主要生產製造2nm、1。8nm等製程的晶片。
而臺積電方面則表示該光刻機有望在2024年交付測試。
如今，ASML官宣High NA EUV光刻機新訊息，稱ASML 正在準備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機，大概會在明年某個時間點完成。
另外，High NA EUV光刻機可以用於生產製造1nm以上製程的晶片，主要是用於生產製造2nm等晶片，單臺售價可能會超過3億美元。
最主要的是，ASML方面還表示High-NA 可能將是最後一個NA，當前半導體光刻技術之路或已走到盡頭，不過正在研究其它可行性替代技術。
據瞭解，全新一代High NA EUV光刻機預計在明年交付，將會直接帶來多個好處。
首先，3nm、2nm晶片
生產製造
更加順利。
三星、臺積電都在使用EUV光刻機生產製造3nm晶片，但實際上已經有點力不從心了。
因為三星採用了全新的GAA工藝，效能和功耗提升明顯，但良品率成了最大的問題；臺積電採用傳統工藝，良品率得到了保證，但效能和功耗提升欠缺。
無論是三星的GAA工藝還是臺積電的傳統工藝都面臨成本高的問題。
High NA EUV光刻機交付後，其技術更為先進，能夠在單元面積中內建更多電晶體，從而進一步提升效能，降低功耗和成本，也能夠加速2nm晶片的到來。
其次，加速E
UV
光刻機自由出貨。
EUV光刻機被研發製造出來後，其就不能自由出貨，也不向外企中國分廠出貨，無論是三星、SK海力士還是ASML，再或是國內廠商，都想讓EUV光刻機自由出貨。
根據瓦森納協議以及ASML的出貨規則可知，EUV光刻機是最先進的裝置，DUV光刻機可以自由出貨，畢竟，ASML短時間內就向國內出貨78臺。
全新一代High NA EUV光刻機交付後，EUV光刻機就不再是最先進的裝置，理論上就能夠實現自由出貨。
更何況，NIL工藝、先進的封裝技術以及堆疊晶片技術已經出現，這些技術都將降低了EUV光刻機的依賴。
甚至在沒有EUV光刻機的情況下，也能打造出來5nm或高效能晶片，這也迫使ASML必須加速實現EUV光刻機自由出貨。
再加上，三星、SK海力士等有大量的工廠在國內，都在等著EUV光刻機進行工藝升級和產能提升。
最後，為國產
晶片
提供了
追趕的
機會。
全新一代High NA EUV光刻機到貨後，EUV光刻機有望自由出貨，梁孟松表示EUV光刻機到貨後，就能夠全面展開5nm等晶片的研發任務。
另外，ASML已經表示High NA EUV光刻機可能是最後一代了，在沒有更先進的技術出現後，晶片製程可能就停留在1nm以上。
據悉，2nm晶片預計在2025年量產，而1。8nm等製程可能會到2028年，甚至更晚。
在這段時間內，晶片製程進步越來越難，正好為國內廠商提供了追趕的機會，更何況，國內廠商抓住智慧聯網汽車對28nm等成熟需求的商機。
臺積電魏哲家都表示聯網汽車比智慧手機帶來的晶片商機更大，關鍵是大家都有機會，國內廠商用成熟工藝養先進工藝的模式，促進技術進步。