校正係數怎麼使用
說起儲存晶片，大家肯定會知道三星、美光、SK海力士、鎧俠這幾大巨頭，因為全球不管是DRAM晶片，還是NAND晶片，基本上都是被這幾大巨頭壟斷的。
以往國內的廠商們，需要儲存晶片，都要從這幾大巨頭那去採購，每年花費鉅額的外匯，以2021年為例，進口儲存晶片的金額超過了1000億美元。
也正因為如此，所以國內一直在發力儲存晶片領域，以期提高自給率，降低對外依賴，建立了好幾大儲存晶片基地。
其中長江儲存就專注於生產NAND晶片，成立於
2016年，但直到2017年才推出第一代產品，還是落後的32層堆疊的技術，此時三星、美光等都達到96層的水平了，中間還隔了一個64層，可以說三星、美光等巨頭領先至少兩代。
這裡要稍微解釋一下，為何在NAND晶片上，會提到“XX層堆疊”這個名詞，不是晶片工藝中最常見的XXnm了。
邏輯晶片等產品，提升晶片效能是透過微縮工藝來實現的，比如7nm、5nm、3nm等，工藝製程越小，技術越先進。
但在NAND領域，則不能這麼幹，因為研究實驗發現，當進入到20nm以下時，單純的提升NAND晶片的工藝，還可能會導致可靠性大幅度下降，而儲存晶片需要穩定可靠。
所以NAND快閃記憶體晶片，不能靠平面的這種微縮工藝，而是透過立體方式來實現，即將電晶體上下堆疊在一起，也就有了層數，層數越大，儲存密度越高，效能越強，也代表技術越先進。
三星的立體工藝叫做V-NAND ，東芝和閃迪則是 BiCS，而長江儲存的叫做Xtacking 技術，這些工藝都是怎麼實現立體的堆疊的技術。
從全球的技術情況來看，今年上半年美光釋出了232層堆疊的NAND快閃記憶體，但其實還沒有大規模量產，還只是PPT快閃記憶體，而三星、SK海力士等，其232層堆疊的NAND快閃記憶體，也沒有量產，預計會在2023年實現，也就是說目前世界巨頭們最先進的技術，其實還沒到232層堆疊。
但是長江儲存的232層NAND快閃記憶體，卻已經大規模量產，用於實際的SSD產品中了。據
TechInsights 的說法，他們拆解了海康威視的 CC700 2TB 的固態硬碟，發現其中使用的就是長江儲存的 232 層的 3D NAND快閃記憶體，
這可是全球第一個，是領先於美光、三星、SK海力士等巨頭的。
大家想一想，長江儲存才成立6年時間，就逆襲了，實現了對三星、美光等巨頭的反超，是不是一件特別值得驕傲的事情？
不過大家也要清醒的認識到，雖然技術上實現了反超，但當前長江儲存的產能並不大，按照2021年的資料，長江儲存在全球的份額還不到5%，而機構預測2022年份額可能會達到7。5%左右，所以雖然技術反超了，但在產量上還要多努力，才能真正大規模實現國產替代，減少對外進口和依賴啊。
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