6h型碳化矽晶體最高耐溫多少度
與傳統矽基裝置相比，第三代半導體材料製備的半導體裝置不僅體積小，重量輕，而且功率輸出密度高，能量轉換效率高，可顯著提高系統裝置的效能。
還具有大電流、大電壓的特點，常見用於新能源車規晶片和
5G
運用等，與之匹配的第三代半導體晶片老化測試的特點
-
自動化測試（
ATE
測試）
-
下壓老化座應運而生。
半導體晶片測試
第三代半導體
1、
發展迅速，
GaN
，
SiC
功率器件
（均有對應的老化座、測試座）
逐漸開始大規模應用。與傳統的矽襯底相比，第三代化合物半導體具有頻寬大、穿透電場強度高、電子遷移率高、導熱率高、介質常數小、抗輻射能力強等特點。因此，由第三代化合物半導體制程的功率裝置具有較高的效能和效率。第三代半導體在射頻和功率方面具有明顯的應用前景。由於生產規模相對較小，生產技術需要成熟，產品價格相對較高，價效比較低，應用受到很大限制。
2
、
更適合製造高溫、高頻、抗輻射和大功率裝置。與矽基半導體相比，第三代半導體材料具有更寬的禁頻寬度、更高的導熱性和更高的抗輻射性，特別是在汽車電子、快速充電和新能源領域。
3
、
主要是寬頻半導體原料，如氮化鎵、碳化矽和硒化鋅。更適合製造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件
（功率器件測試座
/
老化座
）
。據報道，
國家
計劃大力支援第三代半導體產業的發展
，
“十四五”在規劃教育、科研、開發、融資、應用等方面為第三代半導體的發展提供了廣泛的支援。以實現產業獨立。
半導體晶片測試
特點：
以
SiC
第三代半導體材料是繼矽材料之後最有前途的半導體材料之一。與矽材料相比，由碳化矽晶片製成的半導體器件具有高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、能耗低、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用於新能源汽車
（高溫老化座、高頻測試座）
，
5G
現代工業領域，如通訊、光伏發電、軌道交通、智慧電網、航空航天等，需求迅速增長。第三代半導體產業是中國“新基建”戰略的重要組成部分，有望引發科技改革，重塑國際半導體產業格局。
碳化矽與矽相比（
SiC
）和氮化鎵（
GaN
）第三代半導體具有效率高、能耗低、散熱快等特點。第三代半導體裝置可提供高壓、高速開關和低導電阻。鑑於該特性，其將成為有助於降低能耗和縮小系統尺寸的下一代低損耗器件。
半導體晶片測試
趨勢：
目前國家晶片發展的趨勢主要集中在大而厚的主控類晶片
+flash+第三代半導體
在鴻怡電子第三代半導體測試座的眾多行業運用過程中，整理了
3
個系列的封裝老化測試座案例，僅供參考，歡迎留言討論：
1、
TO
封裝系列：
TO247
、
TO252
、
TO263
、
TO 250
測試座
/
老化座
2、
QFN
封裝系列：
QFN5*6
、
QFN8*8
、
QFN8*11。2
、
QFN 3。2*3。2
、
QFN2*3
測試座
/
老化座
3、
IGBT
、
IPM
、
DSC
系列功率器件、高溫、高頻測試座
/
老化座