2023-01-27
雖然一般而言水裡面也沒有太大的危險,而且玩家也會游泳,有些玩家也喜歡體驗一下在遊戲中游泳的感覺,但是水裡面有時候會有喪屍等著
檢視更多2022-12-24
對於蒙乃爾合金板,均勻細小的晶粒可以獲得理想的效能,由於合金板B1沿軋製方向存在條帶狀的大晶粒組織,導致了B1板各向異性明顯,橫向拉伸斷後伸長率不能滿足標準要求,分析原因可能是合金板軋製後的退火溫度和時間控制不當,導致軋製過程中產生的組織不
檢視更多2022-12-13
下圖e和f是分別採用電解液腐蝕後的普通銅箔和奈米晶粒銅箔的表面狀態,可以看到普通銅箔表面產生了大量的腐蝕產物,而奈米晶粒銅箔表面則幾乎沒有出現顯著的腐蝕,這表明奈米晶粒銅箔具有更好的抗腐蝕的特性,這主要是因為經過超聲棍壓處理後,銅箔表面形成
檢視更多2022-10-14
針狀鐵素體管線鋼透過微合金化和控制軋製與控制冷卻,綜合利用晶粒細化、微合金元素的析出相與位錯亞結構的強化效應,可使鋼的屈服強度達到650MPa,一60℃衝擊吸收功達到80J(3)超低碳貝氏體管線鋼為適開發極和近海能源的需要,在針狀鐵素體鋼研
檢視更多2022-10-13
航空業是高新技術最集中的領域,屬於先進製造技術,是新材料、新工藝、新技術的佼佼者,以飛機的渦輪發動機為例,闡述了氮化矽在航空業中的應用,以航空業的渦輪噴氣發動機作為例子,壓氣機的零件溫度在650℃以下,壓氣溫度主要採用鈦合金、鋁合金和耐熱鋼
檢視更多2022-10-12
感應淬火時,對於鋼的預備熱處理也有一定的要求,同一種鋼材,當預備熱處理是調質時,由於組織索氏體很細,奧氏體轉變均勻化的速度快,所以淬火的溫度較低,得到的硬度很高,保證了鋼可以得到較前的淬硬層深度,加熱層越深,組織越細
檢視更多2022-10-05
第七,即使在高溫時,振動波未能完全消除焊接時產生的應力,那麼焊件在降溫過程中,振動波一直起到消除應力的作用
檢視更多2022-09-30
MicroLED顯示器整體良率即是每一段製程良率的綜效結果Micro LED顯示器集合上游的晶圓磊晶與晶粒生產,中游的驅動IC設計、生產與封裝,再到下游面板背板生產、晶粒巨量轉移與系統組裝,這樣的供應鏈雖然也有mini LED類似生產經驗,
檢視更多2022-09-11
氮化矽應用領域氮化矽陶瓷軸承 陶瓷材料可以改善軸承的效能,擴大軸承在高溫和腐蝕環境中的使用範圍,雖然氮化矽在工業陶瓷中不是最硬的,韌性也不是最高的,但在軸承應用中,氮化矽被認為具有最佳的綜合力學特性各種各樣的滾動接觸剝落試驗和軸承試驗都證明
檢視更多2022-08-11
2Ca(ZTWX1100),透過單道次70%壓下率的軋製,獲得了包含基面取向和隨機取向晶粒的合金板,表現為基面隨機異質(BRH)織構,最終顯示出優異的力學效能(均勻伸長率19.6%,抗拉強度255MPa)
檢視更多2022-08-09
對鑄錠組織進行控制,使之形成均勻、細小的等軸晶粒組織,可以有效提高鑄錠的變形效能在鑄造熔液中新增細化劑是有效的細化晶粒的方法用於塑性加工特別是自由鍛的鑄錠,還應嚴格控制有害雜質(如鉛、鉍等)的含量,否則在拉應力的作用下,容易在低熔點雜質聚集
檢視更多2022-07-13
冷應變率為60%~70%的1mm厚4J33帶材,在表4-1所示溫度下退火,空冷後,按YB 027-1992附錄A進行晶粒度評級,三、4J33工藝效能與要求:1、4J33成形效能:該合金具有良好的冷、熱加工效能,可製成各種複雜形狀的零件
檢視更多2022-06-18
2.結合樣品傾轉與暗場圓錐掃描的透射電鏡三維取向重構技術具有1 nm的空間解析度,解決了電子束方向上重疊晶粒的取向測定難題,成功應用於奈米金顆粒的三維組織表徵
檢視更多2022-06-05
根據Hall-Petch的研究,金屬強度隨著晶粒尺寸的減小而增加,下降到10-15奈米的極限
檢視更多2022-03-04
在非蘋果方面,以京東方的電視mini LED顯示屏為例,預計三星有些高階電視將開始大量採用京東方的mini LED顯示屏 (LED晶粒供貨商為三安光電) 以取代OLED顯示屏,關鍵在於京東方的mini LED顯示屏成本大幅下降
檢視更多2022-02-27
高溫合金變形溫度過低,形成混合變形組織時也可能引起粗大晶粒,晶粒粗大將使鍛件的塑性和韌性降低,疲勞效能明顯下降
檢視更多2022-01-25
受擠壓走滑產生的定向壓扭性應力影響,早期形成的翡翠原石開始接受動力改造
檢視更多2022-01-03
新晶粒不斷長大,直至原來的變形組織完全消失,金屬或合金的效能也發生顯著變化,這一過程稱為再結晶
檢視更多2021-12-10
晶粒細化強化,是指透過晶粒粒度的細化來提高金屬的強度,多晶體金屬的晶粒邊界通常是大角度晶界,相鄰的不同取向的晶粒受力產生塑性變形時,部分施密特因子大的晶粒內位錯源先開動,並沿一定晶面產生滑移和增殖
檢視更多2021-12-07
矽摻雜LATP樣品的晶胞引數要點三:矽摻雜對於LATP體相的離子傳輸是不利的,但其誘導產生的二次相可以較好地調節電解質微結構形貌,改善晶界離子傳輸透過-55 C低溫EIS區分出電解質晶粒的體相阻抗和晶界阻抗,發現矽摻雜會阻礙離子在晶粒內部的
檢視更多