800V高壓超充時代來臨，碳化矽步入黃金髮展期

智慧汽車系列（六）：800V高壓超充時代來臨，碳化矽步入黃金髮展期——行業深度報告-20220827

1、“雙碳”背景驅動下，碳化矽產業蓬勃發展

功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心，基於功率半導體的諸多電氣技術將在雙碳程序中起著不可替代的關鍵作用。SiC憑藉耐高壓、耐高溫、更高頻率的優勢，有望在新能源汽車、光伏、工控、軌道交通等高壓應用場景中加速對Si基功率器件的替代。根據Yole預測，2021-2027年全球碳化矽功率器件市場規模有望從10。90億美元增長至62。97億美元，CAGR為34％；其中，車規級市場是碳化矽最主要的應用場景，市場空間有望從6。85億美元增長至49。86億美元，CAGR為39。2％，超過了整個SiC功率器件市場增速。

2、國內新能車市場產銷兩旺，助力本土SiC供應鏈突圍

根據乘聯會資料，2022上半年我國新能源汽車累計零售銷量224。7萬輛，同比增長122。4％，滲透率24。3％。相較於2021年全年滲透率14。8％增長近10％，提前實現《2020-2035新能源汽車產業發展規劃》中2025年新能源汽車滲透率達到20％的願景。我國新能源乘用車需求已完成了由政策引導向市場驅動的轉變，滲透率有望加速提升。新能源汽車行業方興未艾，推動了SiC產業鏈的快速發展，當前碳化矽產業鏈主要由海外廠商主導，全球前五大SiC廠商分佈在歐洲、美國和日本，均採用IDM模式。車規級功率半導體企業採用IDM模式，能夠將設計與製造工藝、封裝工藝與系統級應用更緊密的結合，形成技術閉環，提升產品效能及可靠性。國內多家主機廠為提高供應鏈安全，降低被“卡脖子”風險，紛紛透過產業投資進入SiC產業鏈相關環節。我們認為，在國內龍頭企業加速追趕海外巨頭的過程中，現階段已擁有主機廠戰略投資背書，或者獲得了主機廠相關SiC產品定點函的IDM模式企業，具有先發優勢，有望在競爭中脫穎而出。

3、高壓超充需求加速SiC器件滲透，國內龍頭企業有望充分受益

憑藉耐高壓、耐高溫和高頻等優越的物理特性，SiC MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代替代Si IGBT，在主驅逆變器、充電樁、OBC等應用場景中加速滲透。主機廠透過應用更高功率密度的1200VSiC MOSFET，可以充分發揮800V高壓平臺和350KW直流超充的優勢，大幅提高動力系統效率，加速大功率超充普及，解決“里程焦慮”和“充電焦慮”。隨著各主機廠800V高壓平臺車型的陸續量產， SiC行業需求有望快速增長。受益於新能源汽車電動化程序加快和國內主機廠加強供應鏈自主可控的要求，車規級功率器件的進口替代趨勢正在形成，國內多家SiC產業鏈企業已經在主驅、OBC、DC-DC等應用領域得到主機廠提供的產品驗證機會，部分企業已順利取得定點函進入量產階段，成功匯入了主機廠供應體系。我們認為，國內部分襯底製造企業和透過自建Foundry向IDM模式轉型的模組封裝企業，已經在產品研發和市場匯入方面與海外龍頭並跑，有望充分受益高壓超充帶來的歷史性機遇。

風險提示：國內新能源汽車銷量不及預期，碳化矽滲透率不及預期。

本文源自金融界